結果和討論

不同hp-β-CD濃度下NP溶液的(de)界(jie)面張力

圖 1 不同(tong) hp-β-CD 濃度下的界面張力(li) (γ) vs. log CNP/mol dm-3

NP 溶(rong)液在不(bu)同 hp-β-CD 濃度(du)下(xia)(xia)的(de)(de)(de)界(jie)面(mian)(mian)(mian)張力（γ）如圖 1 所(suo)示。在任何 hp-β-CD 濃度(du)下(xia)(xia)，界(jie)面(mian)(mian)(mian)張力隨著 NP 的(de)(de)(de)增(zeng)加而降低。 Hp-β-CD 由(you)七個葡萄糖單元(yuan)組成(cheng)，形成(cheng)一個具有親水(shui)外(wai)表面(mian)(mian)(mian)和疏(shu)水(shui)內腔(qiang)的(de)(de)(de)環，眾所(suo)周知，它主(zhu)要以 1:1 的(de)(de)(de)化(hua)學計量(liang)(liang)將客體分(fen)子(zi)(zi)(zi)結合到(dao)(dao)疏(shu)水(shui)腔(qiang)中 [11]。 在 hp-β-CD 的(de)(de)(de)水(shui)溶(rong)液中，NP 被認為結合了 hp-β-CD 的(de)(de)(de)疏(shu)水(shui)腔(qiang)。 眾所(suo)周知，Hp-β-CD 由(you)于(yu)其(qi)親水(shui)性外(wai)表面(mian)(mian)(mian)而不(bu)吸(xi)附在空(kong)氣-溶(rong)液界(jie)面(mian)(mian)(mian)。 這表明(ming)未摻入(ru) hp-β-CD 腔(qiang)的(de)(de)(de) NP 分(fen)子(zi)(zi)(zi)吸(xi)附在空(kong)氣 - 溶(rong)液界(jie)面(mian)(mian)(mian)。 在任何 hp-β-CD 濃度(du)下(xia)(xia)均未觀察到(dao)(dao)表明(ming)膠束化(hua)開始的(de)(de)(de)斷(duan)點（即臨界(jie)膠束濃度(du) (cmc)）。 由(you)于(yu) NP 非常疏(shu)水(shui)，體相中的(de)(de)(de) NP 單體濃度(du)不(bu)能增(zeng)加到(dao)(dao) cmc。 根(gen)據(ju) γ 與 log CS，非離子(zi)(zi)(zi) NP 的(de)(de)(de)最大表面(mian)(mian)(mian)過量(liang)(liang) (Γmax) 通(tong)過 Gibb 吸(xi)附方程估計如下(xia)(xia) [12]：

其中(zhong) CS 和(he) R 分(fen)別是(shi) NP 濃度和(he)氣(qi)體常數。 表(biao)面(mian)(mian)過(guo)量值列于表(biao) 1。表(biao)面(mian)(mian)過(guo)量值在(zai)任何 hp-β-CD 濃度下(xia)幾乎(hu)恒定，平均值為 4.6 μmol m-2。 這意味(wei)著 hp-β-CD 不影響吸附在(zai)空氣(qi)-溶(rong)液(ye)界面(mian)(mian)上的(de)(de)(de)(de) NP 分(fen)子的(de)(de)(de)(de)取(qu)向。 與(yu) HTAB 的(de)(de)(de)(de)表(biao)面(mian)(mian)過(guo)量值 (3.9 μmol m-2) [6] 相比，NP 在(zai)空氣(qi)-溶(rong)液(ye)界面(mian)(mian)處每(mei)個分(fen)子所占的(de)(de)(de)(de)面(mian)(mian)積似乎(hu)比 HTAB 小。 HTAB 的(de)(de)(de)(de)頭部基團與(yu) HTAB 親(qin)水(shui)部分(fen)的(de)(de)(de)(de)三(san)個甲(jia)基的(de)(de)(de)(de)體積之間的(de)(de)(de)(de)靜電排斥力抑制了擁擠的(de)(de)(de)(de)堆積。

表1 不(bu)同hp-β-CD濃度下(xia)NP的表面過量（Γmax）值

圖 2 存(cun)在各種內分泌干擾物(wu)時(shi)的界面張力 (γ) 與 log CHTA +/mol dm-3 的關系：5 mM hp-β-CD、0.49 M Na2SO4 和 0.01 M H2SO4

HTA+ 溶液與 hp-β-CD 和硫酸根離子的界面張力

為(wei)了(le)(le)(le)研究支持電(dian)(dian)解(jie)質對(dui)空氣-溶液(ye)(ye)界面(mian)(mian)(mian)(mian)處 HTA+ 吸(xi)附性(xing)能(neng)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)影響，我(wo)們(men)測量(liang)了(le)(le)(le)含有(you)硫酸根離(li)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de) HTA+ 溶液(ye)(ye)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)界面(mian)(mian)(mian)(mian)張(zhang)力(li)。 含硫酸根離(li)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de) HTA+ 溶液(ye)(ye)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)界面(mian)(mian)(mian)(mian)張(zhang)力(li)如圖(tu) 2 所(suo)示。HTA+ 離(li)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de) cmc 和(he)最大表面(mian)(mian)(mian)(mian)過量(liang)值列于表 2。在(zai)(zai)大量(liang)支持電(dian)(dian)解(jie)質存在(zai)(zai)下(xia) HTA+ 的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)表面(mian)(mian)(mian)(mian)過量(liang)值為(wei)由方程估計 (3) 其中(zhong)(zhong) CS 是(shi) HTA+ 濃度(du)。 這(zhe)些 cmc 值遠大于沒有(you) hp-β-CD 和(he)硫酸根離(li)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi) (0.92 mM) [6] 時 HTAB 水(shui)溶液(ye)(ye)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de) cmc 值。 這(zhe)意(yi)味著(zhu) HTA+ 離(li)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)被并(bing)(bing)入(ru) hp-β-CD 腔內，并(bing)(bing)且無 HTA+ 單體(ti)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)濃度(du)降(jiang)低(di)(di)。 我(wo)們(men)已經觀(guan)察(cha)到在(zai)(zai)兩種 EDC 存在(zai)(zai)下(xia) HTA+ 的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de) cmc 值下(xia)降(jiang)。 我(wo)們(men)可以用兩個(ge)可能(neng)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)原因(yin)(yin)來(lai)解(jie)釋 cmc 的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)這(zhe)種下(xia)降(jiang)。 第一(yi)個(ge)是(shi) EDC 對(dui)膠(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)束的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)穩定化(hua)。 這(zhe)是(shi)由于羥基和(he) NP 或 β-E2 中(zhong)(zhong)芳香環的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de) C 電(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)與(yu) HTA+ 離(li)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)中(zhong)(zhong)帶正電(dian)(dian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)銨部(bu)分(fen)之間(jian)(jian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)吸(xi)引力(li)相(xiang)(xiang)互作用。 它(ta)降(jiang)低(di)(di)了(le)(le)(le)膠(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)束中(zhong)(zhong) HTA+ 極性(xing)頭基團之間(jian)(jian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)靜電(dian)(dian)斥(chi)力(li) [13]。 此(ci)(ci)外，NP 或 β-E2 與(yu) HTAB 膠(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)束之間(jian)(jian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)疏(shu)水(shui)相(xiang)(xiang)互作用穩定了(le)(le)(le)膠(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)束化(hua) [14]。 第二個(ge)是(shi)兩個(ge) EDC 分(fen)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)都(dou)占(zhan)據了(le)(le)(le) hp-β-CD 腔并(bing)(bing)增加了(le)(le)(le) HTA+-free 單體(ti)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)濃度(du)。 然(ran)而，NP de 比β-E2 更(geng)顯著(zhu)地降(jiang)低(di)(di)了(le)(le)(le)cmc 值。 從分(fen)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)結構來(lai)看，NP本身(shen)具有(you)長碳(tan)鏈，類似于HTA+離(li)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)。 它(ta)使膠(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)束形成(cheng)中(zhong)(zhong) HTA+ 和(he) NP 之間(jian)(jian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)親和(he)力(li)更(geng)高，并(bing)(bing)且更(geng)顯著(zhu)地增加了(le)(le)(le)不(bu)含 HTA+ 的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)單體(ti)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)濃度(du)。 盡管(guan)β-E2存在(zai)(zai)時HTAB的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)最大表面(mian)(mian)(mian)(mian)過剩值大于NP存在(zai)(zai)時的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)值，但后者EDC的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)界面(mian)(mian)(mian)(mian)張(zhang)力(li)遠低(di)(di)于前(qian)者。 在(zai)(zai) NP 溶液(ye)(ye)中(zhong)(zhong)，NP 分(fen)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)也被吸(xi)附在(zai)(zai)空氣-溶液(ye)(ye)界面(mian)(mian)(mian)(mian)，這(zhe)也起到降(jiang)低(di)(di)界面(mian)(mian)(mian)(mian)張(zhang)力(li)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)作用。 然(ran)而，在(zai)(zai) cmc 以上(shang)(shang)，隨著(zhu) CHTAB 和(he)膠(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)束濃度(du)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)增加，吸(xi)附的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de) NP 分(fen)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)從空氣 - 溶液(ye)(ye)界面(mian)(mian)(mian)(mian)解(jie)吸(xi)并(bing)(bing)分(fen)布在(zai)(zai)膠(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)束中(zhong)(zhong)，界面(mian)(mian)(mian)(mian)處 NP 的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)組成(cheng)減少。 因(yin)(yin)此(ci)(ci)，界面(mian)(mian)(mian)(mian)張(zhang)力(li)再次大幅上(shang)(shang)升(sheng)。

表 2 在含有 0.49 M Na2SO4 和 0.01 M H2SO4 的(de) 5 mM hp-β-CD 存在下(xia)，HTA+ 溶(rong)液在不同 NP 或(huo) β-E2 濃度(du)下(xia)的(de) cmc 和表面(mian)過量 (Γmax) 值

熒光各向異性

RB 分子(zi)(zi)在(zai)膠(jiao)束(shu)表(biao)(biao)面區域溶解(jie)(jie)得越硬，r 值(zhi)越大(da)[15]。 r 值(zhi)的(de)(de)(de)(de)變化如圖 3 所示(shi)。在(zai) 0.1 mM 時，r 值(zhi)下降。 這表(biao)(biao)明 EDCs 開始溶解(jie)(jie)到(dao)膠(jiao)束(shu)中擾(rao)亂(luan)了(le) RB 分子(zi)(zi)在(zai)膠(jiao)束(shu)表(biao)(biao)面的(de)(de)(de)(de)緊密堆積。 隨著NP濃度(du)的(de)(de)(de)(de)增加(jia)，r值(zhi)增加(jia)。 然而(er)，隨著β-E2濃度(du)的(de)(de)(de)(de)增加(jia)，r值(zhi)一度(du)恢復(fu)并似乎一點點下降。 這表(biao)(biao)明 NP 的(de)(de)(de)(de)增溶使膠(jiao)束(shu)表(biao)(biao)面更(geng)加(jia)剛(gang)性(xing)，而(er) β-E2 的(de)(de)(de)(de)增溶則沒有。 NP在(zai)結構上更(geng)類似于HTA+。 因此，NP在(zai)膠(jiao)束(shu)中的(de)(de)(de)(de)HTA+離(li)子(zi)(zi)頭之間增溶，降低(di)了(le)膠(jiao)束(shu)表(biao)(biao)面離(li)子(zi)(zi)頭的(de)(de)(de)(de)靜電斥力，使膠(jiao)束(shu)更(geng)加(jia)穩定和剛(gang)性(xing)[16]。 另一方面，β-E2 似乎會干擾(rao) HTA+ 的(de)(de)(de)(de)取向并降低(di)膠(jiao)束(shu)表(biao)(biao)面的(de)(de)(de)(de)剛(gang)度(du)。

DLS

我(wo)們在每(mei)個 EDC 存在下通過動(dong)態光散射(she)方法研(yan)究(jiu)了(le) HTA+ 膠束(shu)的(de) RH（圖 4）[17]。 隨著(zhu) EDCs 濃度的(de)增(zeng)加，膠束(shu)的(de)流體動(dong)力學半徑似乎逐漸增(zeng)加。 

圖 3 熒光各向異(yi)性 (r) 值 vs. CEDCs/mM：50 mM hp-β-CD、20 mM HTAB、0.49 M Na2SO4 和 0.01 M H2SO4

這(zhe)種趨勢在兩(liang)個(ge) EDC 中(zhong)是相似的(de)。 在我們的(de)芘熒光 I1/I3 實驗中(zhong)，膠(jiao)束中(zhong)的(de)極性不(bu)會因添加(jia)每個(ge) EDC 而改變（數據未顯示）。 因此(ci)，流(liu)體(ti)動力學(xue)半徑的(de)這(zhe)種小幅增(zeng)加(jia)不(bu)是由于膠(jiao)束中(zhong)水分子(zi)的(de)侵(qin)(qin)入； 相反，這(zhe)是由于EDC分子(zi)的(de)入侵(qin)(qin)。 此(ci)外，EDCs 在膠(jiao)束表(biao)面(mian)的(de)侵(qin)(qin)入似乎(hu)降(jiang)低了表(biao)面(mian)的(de)電(dian)密度，并可能(neng)增(zeng)加(jia)聚集數。

圖 4 膠束相對于(yu) CEDCs/mM 的 RH：50 mM hp-β-CD、20 mM HTAB、0.49 M Na2SO4 和(he) 0.01 M H2SO4

在 hp-β-CD 存在下 I2/I? 的循環伏安法

在(zai)(zai)(zai)這里，我們(men)(men)選(xuan)擇 I2/I? 作為電(dian)化學探針，因為 I? 的(de)(de)(de)(de)電(dian)荷有望使(shi)其(qi)與(yu)陽離子膠(jiao)束(shu)的(de)(de)(de)(de)結合變得容易，并(bing)且電(dian)中(zhong)性(xing) I2 有望在(zai)(zai)(zai)膠(jiao)束(shu)中(zhong)表面(mian)(mian)活(huo)性(xing)劑的(de)(de)(de)(de)疏水(shui)部分(fen)之間增溶(rong)(rong)并(bing)溶(rong)(rong)解(jie)在(zai)(zai)(zai)電(dian)極(ji)表面(mian)(mian)的(de)(de)(de)(de)表面(mian)(mian)活(huo)性(xing)劑單(dan)層中(zhong)。 我們(men)(men)研究了 hp-β-CD 對 I2/I- 氧化還原峰(feng)(feng)(feng)的(de)(de)(de)(de)影響（圖 5）。 在(zai)(zai)(zai)沒有 hp-β-CD 的(de)(de)(de)(de)情況(kuang)下，觀(guan)察(cha)到(dao)(dao) I- 在(zai)(zai)(zai)約 530 mV 處(chu)的(de)(de)(de)(de)陽極(ji)峰(feng)(feng)(feng)和 I2 在(zai)(zai)(zai)約 480 mV 處(chu)的(de)(de)(de)(de)陰極(ji)峰(feng)(feng)(feng)。 在(zai)(zai)(zai) 50 mM hp-β-CD 存在(zai)(zai)(zai)下，陽極(ji)和陰極(ji)峰(feng)(feng)(feng)值電(dian)流均降低(di)，并(bing)且它們(men)(men)的(de)(de)(de)(de)峰(feng)(feng)(feng)值電(dian)位向負(fu)方向移(yi)動。 陽極(ji)峰(feng)(feng)(feng)值電(dian)流的(de)(de)(de)(de)降低(di)是由(you) I? 與(yu) hp-β-CD 的(de)(de)(de)(de)親水(shui)表面(mian)(mian)結合引起的(de)(de)(de)(de)。 另一(yi)方面(mian)(mian)，陰極(ji)峰(feng)(feng)(feng)值電(dian)流的(de)(de)(de)(de)降低(di)是由(you) hp-β-CD 疏水(shui)腔中(zhong)包含 I2 引起的(de)(de)(de)(de) [18]。 峰(feng)(feng)(feng)值電(dian)位的(de)(de)(de)(de)負(fu)移(yi)表明結合在(zai)(zai)(zai) hp-β-CD 腔中(zhong)的(de)(de)(de)(de) I2 比結合到(dao)(dao) hp-β-CD 表面(mian)(mian)的(de)(de)(de)(de) I- 更穩定。

圖 5 存(cun)(cun)在(zai) 5 mM hp-β- 時 I2/I? 的循(xun)環伏安圖CD 和(he)不存(cun)(cun)在(zai) hp-β-CD：0.5 mM NaI、0.49 M Na2SO4、0.01 M H2SO4

在 HTA+ 離子和 hp-β-CD 存在下 I2/I? 的循環伏安法

我們還(huan)研(yan)究了(le)(le) HTA+ 陽離(li)子(zi)(zi)的(de)(de)(de)(de)(de)影響（圖 6）。 來(lai)自界面(mian)(mian)張力(li)測量的(de)(de)(de)(de)(de) HTA+ 離(li)子(zi)(zi)的(de)(de)(de)(de)(de) cmc 與圖 6 標(biao)題中(zhong)所述的(de)(de)(de)(de)(de) CV 測量溶(rong)液相(xiang)同，為 3.95 mM。 I2/I? 的(de)(de)(de)(de)(de)陽極(ji)(ji)和(he)(he)(he)陰(yin)極(ji)(ji)峰(feng)均高于(yu)不存在(zai) HTA+ 時的(de)(de)(de)(de)(de)峰(feng)。 陽極(ji)(ji)和(he)(he)(he)陰(yin)極(ji)(ji)峰(feng)值(zhi)電(dian)(dian)(dian)流的(de)(de)(de)(de)(de)增(zeng)(zeng)加(jia)(jia)是由(you)于(yu)被捕(bu)獲的(de)(de)(de)(de)(de) I? 和(he)(he)(he) I2 從 hp-β-CD 釋放到(dao)主體中(zhong)，這(zhe)是由(you) hp-β-CD 腔(qiang)中(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de) I? 和(he)(he)(he) I2 置換引(yin)起的(de)(de)(de)(de)(de)與 HTA+。 另(ling)一方面(mian)(mian)，隨(sui)(sui)(sui)著 HTA+ 的(de)(de)(de)(de)(de)濃(nong)(nong)(nong)度(du)(du)增(zeng)(zeng)加(jia)(jia)到(dao) cmc 以上，陽極(ji)(ji)和(he)(he)(he)陰(yin)極(ji)(ji)峰(feng)值(zhi)電(dian)(dian)(dian)流都(dou)變得(de)低于(yu)預膠(jiao)束(shu)(shu)濃(nong)(nong)(nong)度(du)(du)下的(de)(de)(de)(de)(de)峰(feng)值(zhi)電(dian)(dian)(dian)流。 在(zai) I2 和(he)(he)(he) I- 鍵合到(dao)膠(jiao)束(shu)(shu)經歷電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)轉移之前(qian)，膠(jiao)束(shu)(shu)必(bi)須轉向(xiang)(xiang)，使 I2 和(he)(he)(he) I- 面(mian)(mian)向(xiang)(xiang)電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)表(biao)(biao)面(mian)(mian)。 它(ta)導(dao)致(zhi)峰(feng)值(zhi)電(dian)(dian)(dian)流的(de)(de)(de)(de)(de)降低。 此外(wai)，陽極(ji)(ji)和(he)(he)(he)陰(yin)極(ji)(ji)峰(feng)值(zhi)電(dian)(dian)(dian)位都(dou)向(xiang)(xiang)負方向(xiang)(xiang)移動。 這(zhe)表(biao)(biao)明溶(rong)解(jie)(jie)在(zai) HTA+ 膠(jiao)束(shu)(shu)中(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de) I2 比鍵合到(dao) HTA+ 膠(jiao)束(shu)(shu)表(biao)(biao)面(mian)(mian)的(de)(de)(de)(de)(de) I- 更穩定。 隨(sui)(sui)(sui)著 HTA+ 濃(nong)(nong)(nong)度(du)(du)增(zeng)(zeng)加(jia)(jia)到(dao) 5 mM，在(zai) 330 mV 處(chu)觀察(cha)到(dao)一個尖銳(rui)的(de)(de)(de)(de)(de)吸(xi)附(fu)(fu)減少峰(feng)。 已(yi)知在(zai)不存在(zai)任何表(biao)(biao)面(mian)(mian)活性(xing)劑(ji)的(de)(de)(de)(de)(de)情(qing)況下，在(zai)鉑電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)表(biao)(biao)面(mian)(mian)形(xing)(xing)成的(de)(de)(de)(de)(de) I2 會吸(xi)附(fu)(fu)在(zai)電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)表(biao)(biao)面(mian)(mian) [19]。 在(zai)我們的(de)(de)(de)(de)(de)系統中(zhong)，HTA+ 在(zai)低 HTA+ 濃(nong)(nong)(nong)度(du)(du)下抑制(zhi)了(le)(le) I2 的(de)(de)(de)(de)(de)吸(xi)附(fu)(fu)。 然而，隨(sui)(sui)(sui)著HTA+濃(nong)(nong)(nong)度(du)(du)的(de)(de)(de)(de)(de)增(zeng)(zeng)加(jia)(jia)，形(xing)(xing)成了(le)(le)HTA+單(dan)層(ceng)，導(dao)致(zhi)電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)表(biao)(biao)面(mian)(mian)HTA+單(dan)層(ceng)中(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)I2被吸(xi)收(shou)。 隨(sui)(sui)(sui)著 HTA+ 濃(nong)(nong)(nong)度(du)(du)增(zeng)(zeng)加(jia)(jia)至(zhi) 10 mM，吸(xi)附(fu)(fu)還(huan)原峰(feng)消(xiao)失。 在(zai)這(zhe)個濃(nong)(nong)(nong)度(du)(du)下，在(zai)電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)表(biao)(biao)面(mian)(mian)形(xing)(xing)成的(de)(de)(de)(de)(de) I2 溶(rong)解(jie)(jie)到(dao) HTA+ 膠(jiao)束(shu)(shu)中(zhong)。 因(yin)此，沒有觀察(cha)到(dao)吸(xi)附(fu)(fu)峰(feng)。

圖 6 不同 HTA+ 離子濃度下 I2/I? 的循環伏安圖：0.5 mM NaI、5 mM hp-β-CD、0.49 M Na2SO4、0.01 M H2SO4

圖 7 在 0.5 mM NP (a) 或 0.5 mM β-E2 (b) 存在下(xia)，不同 HTA+ 離(li)子濃度下(xia) I2/I? 的循環伏安圖：0.5 mM NaI、5 mM hp-β-CD、0.49 M Na2SO4 , 0.01 M H2SO4

在 NP 或 β-E2、HTA+ 和 hp-β-CD 存在下 I2/I? 的循環伏安法

包含 NP 或(huo) β-E2 的(de)(de)(de)系統中(zhong)(zhong) I2/I? 的(de)(de)(de)循環伏安圖(tu)分別如圖(tu) 7a 和(he) b 所示(shi)。 根據(ju)界面(mian)張力測量(liang)(liang)結果，各個(ge)系統的(de)(de)(de) HTA+ 的(de)(de)(de) cmc 分別為 3.06 和(he) 3.50 mM，并(bing)列于(yu)表(biao)(biao) 3 中(zhong)(zhong)。即(ji)使在(zai)(zai) HTA+ 的(de)(de)(de)預膠束濃(nong)度(du)下(xia)，峰(feng)值電位也向(xiang)負方向(xiang)移(yi)動。 這表(biao)(biao)明即(ji)使在(zai)(zai)低于(yu) cmc 的(de)(de)(de)低 HTA+ 濃(nong)度(du)下(xia)，I- 也溶(rong)解(jie)在(zai)(zai)電極(ji)表(biao)(biao)面(mian)形成(cheng)(cheng)的(de)(de)(de) HTA+ 單(dan)層中(zhong)(zhong)。 在(zai)(zai) HTA+ 單(dan)層中(zhong)(zhong)，I2 比(bi) I- 更穩(wen)定。 在(zai)(zai)膠束后 HTA+ 濃(nong)度(du)下(xia)，NP 溶(rong)液(ye)(ye)中(zhong)(zhong)峰(feng)電位的(de)(de)(de)負移(yi)大(da)(da)于(yu) β-E2 溶(rong)液(ye)(ye)。 這是因(yin)為 NP 更有效地降低了(le) cmc，并(bing)且在(zai)(zai)相(xiang)同(tong)濃(nong)度(du) (0.5 mM) NP 或(huo) β-E2 的(de)(de)(de)體(ti)相(xiang)中(zhong)(zhong)，NP 中(zhong)(zhong)形成(cheng)(cheng)的(de)(de)(de)膠束量(liang)(liang)更大(da)(da)。 在(zai)(zai)圖(tu) 6 中(zhong)(zhong)觀(guan)察到的(de)(de)(de)顯著吸附減少(shao)峰(feng)在(zai)(zai)圖(tu) 7a 中(zhong)(zhong)沒有觀(guan)察到。 然而，在(zai)(zai)圖(tu) 7b 中(zhong)(zhong)，在(zai)(zai) 4 mM 的(de)(de)(de) HTA+ 濃(nong)度(du)下(xia)，在(zai)(zai) 340 mV 附近觀(guan)察到了(le)一個(ge)寬的(de)(de)(de)吸附峰(feng)。 在(zai)(zai)NP溶(rong)液(ye)(ye)中(zhong)(zhong)，大(da)(da)量(liang)(liang)膠束溶(rong)解(jie)了(le)電極(ji)表(biao)(biao)面(mian)形成(cheng)(cheng)的(de)(de)(de)I2，將它們從那里帶走(zou)，降低了(le)I2的(de)(de)(de)吸附峰(feng)電流。

表 3 在含有 20 mM 磷(lin)酸(suan)鹽緩沖液和 0.5 μM 芘的(de) 50 mM hp-β-CD 存在下(xia)，HTAB 溶液在不同 NP 或(huo) β-E2 濃度下(xia)的(de) cmc 值

內分泌物在膠束中的增溶作用——摘要、介紹

內分泌物在膠束中的增溶作用——材料和方法

內分泌物在膠束中的增溶作用——結果和討論

內分泌物在膠束中的增溶作用——結論、致謝！